電針百會、神庭穴調控MCAO-R大鼠海馬miR-134的表達對突觸可塑性的影響.pdf

1、目的:
　　探討電針百會、神庭穴是否通過miR-134調控LIMK1(lim-domain containingprotein kinase1)表達及其磷酸化水平，影響海馬突觸可塑性的變化，從而改善MCAO/R(Middle Cerebral Artery Occlusion/Reperfusion)大鼠學習記憶功能的可能機制。
　　方法:
　　將雄性SD(Sprague-Dawley)大鼠隨機分為假手術組和造模組，造

2、模組復制Koizumi線栓法，制備左側大腦中動脈缺血再灌注損傷動物模型。依據Zea-Longa神經行為學評分及造模24 h后MRI的T2WI結果，將造模成功的大鼠隨機分為模型組、電針組和非穴組。術后24 h，開始行電針干預，電針組穴位取百會、神庭穴，疏密波，頻率2/20 Hz，每次電針30 min，每天1次，共干預14d;非穴組取雙側脅下非經非穴，刺激強度、時間及干預天數同電針組。干預的第10d開始采用Morris水迷宮檢測大鼠的空間學

3、習記憶能力;干預的第14d行小動物核磁共振觀察腦損傷情況;取材后采用Golgi染色法觀察左側海馬CA1區(qū)樹突棘形態(tài);采用免疫印跡法檢測左側海馬CA1區(qū)LIMK1蛋白及磷酸化水平;采用實時熒光定量法檢測海馬miR-134的表達水平。
　　結果:
　　(1)神經行為學評分結果示:腦缺血再灌注損傷后，與假手術組大鼠相比，模型組、電針組及非穴組大鼠神經功能缺損評分均顯著升高(P＜0.01)，且三組之間Zea-Longa神經行為學評分

4、無明顯差異(P＞0.05);電針治療14d后，電針組大鼠的神經行為學評分明顯優(yōu)于模型組、非穴組(P＜0.01)，表明電針百會、神庭穴可以改善MCAO/R大鼠的神經功能缺損的癥狀。
　　(2)跳臺實驗結果示:腦缺血再灌注損傷后，與假手術組大鼠相比，模型組、電針組及非穴組大鼠平臺停留時間均顯著減少(P＜0.01)，但此三組之間平臺停留時間無明顯差異（P＞0.05）;電針治療14d后，電針組大鼠的平臺停留時間明顯多于模型組、非穴組(P＜

5、0.01)，表明電針百會、神庭穴可以改善MCAO/R大鼠的學習記憶能力缺損的癥狀。
　　(3)水迷宮實驗:定向航行實驗顯示:假手術組大鼠逃避潛伏期小于其他各組，差異有統(tǒng)計學意義(P＜0.01)。電針組大鼠逃避潛伏期小于模型組、非穴組，差異有統(tǒng)計學意義(P＜0.01);空間探索實驗顯示，假手術組大鼠穿越平臺次數多于其他各組，差異有統(tǒng)計學意義(P＜0.01)，電針組大鼠穿過平臺次數多于模型組、非穴組，差異有統(tǒng)計學意義(P＜0.05)。

6、表明電針百會、神庭穴可以改善MCAO/R大鼠的學習記憶能力。
　　(4)小動物MRI成像結果示:對實驗大鼠進行T2WI掃描，觀察腦梗死面積。腦缺血再灌注損傷后24 h，模型組、電針組及非穴組大鼠腦損傷體積無明顯差異(P＞0.05);干預14d后，與模型組和非穴組相比，電針組大鼠的腦損傷體積均明顯減少（P＜0.05）。
　　(5) Golgi染色結果示:干預14 d后，與模型組相比，電針組大鼠左側海馬CA1區(qū)樹突棘形態(tài)明顯較完

7、整，數量明顯增多，具有顯著性差異(P＜0.01);非穴組與模型組相比，無明顯差異(P＞0.05);
　　(6)投射電鏡結果示:干預14d后，與模型組相比，電針組大鼠左側海馬CA1區(qū)突觸數量明顯增多，具有顯著性差異(P＜0.01);非穴組與模型組相比，無明顯差異(P＞0.05);
　　(7)蛋白免疫印跡法檢測結果示:LIMK1、P-LIMK1在四組的左側海馬均有表達;較假手術相比，模型組LIMK1、P-LIMK1的表達明顯降低

8、，差異有統(tǒng)計學意義(P＜0.01)，說明腦缺血可抑制LIMK1、P-LIMK1的表達;干預14 d后，與模型組相比，電針組的LIMK1、P-LIMK1的含量表達明顯增多，有顯著性差異(P＜0.01)，說明了電針促進了海馬中LIMK1的磷酸化。
　　(8)實時熒光定量結果示:干預14d后，與模型組相比，電針組大鼠左側海馬CA1區(qū)miR-134的表達明顯減少，具有顯著性差異(P＜0.01);非穴組與模型組相比無明顯差異(P＞0.05)