SIRT3在小膠質細胞激活致神經干細胞失能中的作用研究.pdf

1、南方醫(yī)科大學9_013級博士學位論文SIRT3在小膠質細胞激活致神經干細胞失能中的作用研究TheeffectsofSIRT3inneuralstemcellsondysfunction●●●1●●●●●inducedbVmlcrogllaactwa，t10n課題來源：國家自然科學基金(No81302738)廣東省自然科學基金(No$2013010015546)學位申請人導師姓名專業(yè)名稱培養(yǎng)類型培養(yǎng)層次所在學院答辯委員會主席答辯委員會成員

2、蔣德旗王勇教授藥理學學術型博士藥學院劉叔文教授吳忠教授張軍教授陳吉生主任藥師周本杰主任藥師2016年5月16日廣州摘要增加rt202誘導的氧化應激死亡，SIRT3基因缺失還加劇PD模型小鼠黑質紋狀體多巴胺能神經元的退化。SIRT3在神經疾病發(fā)生發(fā)展中發(fā)揮一定作用，但尚未見神經干細胞SIRT3與神經再生的相關研究報道。課題組前期研究證實小膠質細胞激活產生的炎性損傷誘導NSC凋亡，抑制其分化為神經元，并與能量代謝有關。在此基礎上，我們推測，

3、SIRT3可能通過減輕氧化應激和炎癥損傷、改善線粒體功能等，在小膠質細胞激活致NSC失能過程中發(fā)揮神經保護作用，促進神經再生。本課題研究可望為揭示神經炎癥介導NSC失能的機制提供新觀點，為AD等神經退行性疾病臨床治療和藥物干預提供新靶點。目的研究SIRT3在小膠質細胞激活致NSC失能中的作用，探討SIRT3基因過表達和干擾對NSC凋亡、增殖、分化、線粒體功能、ROS生成等生命活動的影響及相關分子機制。方法本研究采用Tanswell系統(tǒng)共

4、培養(yǎng)小鼠神經干細胞系C172(NSC)和小膠質細胞BV2(MG)，C172細胞貼壁培養(yǎng)在下室，BV2貼壁培養(yǎng)在上室。共培養(yǎng)系統(tǒng)中添加10gMA13作用于兩種細胞，BV2細胞被激活，建立小膠質細胞激活致神經干細胞失能的細胞共培養(yǎng)模型。SIRT3基因過表達和干擾模型的建立：C172細胞與BV2細胞共培養(yǎng)前，C172接種在細胞培養(yǎng)六孔板的底部，當匯合度約為40％50％時，過表達模型添加SIRT3過表達腺病毒，干擾模型添加SIRT3siRNA，

5、細胞均無血清培養(yǎng)轉染6h；而BV2細胞接種在另～個嵌套有Transwell裝置六孔板的上室底部，使BV2細胞匯合度在C172細胞病毒或siRNA轉染完時達到50％～60％左右；當C172轉染完后，將貼壁培養(yǎng)BV2細胞的Transwell嵌套裝置移至底部貼壁培養(yǎng)有C172細胞的六孔板中，并添加10gMA13作用于BV2和C172細胞。利用細胞免疫熒光技術鑒定C172一NSC標記物nestin、并檢測SIRT3的蛋白表達。采用ELISA和分