利用原子層沉積方法制備硅基MIS憶阻器件研究.pdf

1、中圖分類號(hào)：學(xué)校代碼：10055UDC：密級(jí)：公開(kāi)碩士學(xué)位論文利用原子層沉積方法制備硅基MIS憶阻器件研究InvestigationofthesiliconMISmemristivedevicespreparedbyatomiclayerdeposition論文作者劉曉芳指導(dǎo)教師孫甲明教授申請(qǐng)學(xué)位工學(xué)碩士培養(yǎng)單位物理科學(xué)學(xué)院學(xué)科專業(yè)材料物理與化學(xué)研究方向硅光子學(xué)與儲(chǔ)能器件答辯委員會(huì)主席張存洲評(píng)閱人趙麗娟曹學(xué)偉南開(kāi)大學(xué)研究生院二○一五年五

2、月南開(kāi)大學(xué)學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明南開(kāi)大學(xué)學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所呈交的學(xué)位論文，是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行研究工作所取得的研究成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本學(xué)位論文的研究成果不包含任何他人創(chuàng)作的、已公開(kāi)發(fā)表或者沒(méi)有公開(kāi)發(fā)表的作品的內(nèi)容。對(duì)本論文所涉及的研究工作做出貢獻(xiàn)的其他個(gè)人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。本學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明的法律責(zé)任由本人承擔(dān)。學(xué)位論文作者簽名：2015年5月25日非公開(kāi)學(xué)位論文標(biāo)注說(shuō)明(本頁(yè)表中填寫(xiě)內(nèi)容