基于InGaAs MOSFET的E類功率放大器的研究.pdf

1、傳統(tǒng)硅基 CMOS集成技術遵循摩爾定律通過不斷縮小特征尺寸來提高器件的工作速度、增加集成度以及降低成本，然而在進入納米時代后開始面臨著來自技術層面和物理層面的雙重挑戰(zhàn)。InGaAs MOSFET因其優(yōu)越的電子遷移率，成為了下一代CMOS技術的研究熱點。本論文主要基于中科院微電子研究所器件及其制造工藝，以InGaAs MOSFET功率器件和射頻E類功率放大器的設計為中心，分別開展了以下研究工作：
　　1.基于中科院微電子研究所工藝條

2、件，完成了InGaAs MOSFET功率器件的設計及制作，同時完成了GaAs背孔工藝的研究，實現(xiàn)了完整的InGaAs MOSFET MMIC制作工藝流程。
　　2.研究并完成了與InGaAs MOSFET工藝相兼容的50Ω/□的TaN薄膜電阻、Si3N4 MIM電容和螺旋電感無源器件制備?；贛IM電容和螺旋電感的測試和MOM仿真數(shù)據(jù)，完成了電容和電感的建模工作。同時本文還研究了 Al2O3介質的厚度與 MIM電容的直流特性和射頻

3、特性之間的相互關系，為Al2O3介質MIM電容應用于InGaAs MOSFET MMIC電路做了一定的基礎。
　　3.完成了 InGaAs MOSFET從小信號模型到大信號模型的建模流程。根據(jù)InGaAs MOSFET功率器件結構，建立小信號模型的等效拓撲結構，提出小信號模型參數(shù)的直接提取方法。并利用 IC-CAP建模軟件和 ADS仿真軟件進行 InGaAs MOSFET的EEHEMT大信號模型提參建模以及后期擬合工作。