半導體異質結構QPC靜電勢數(shù)值分析.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、為了設計以半導體異質結構量子點接觸(QPC)為基礎的器件，需要掌握QPC結構中靜電勢的分布及其控制方法。本文研究QPC中靜電勢的數(shù)值計算方法，并分析影響QPC靜電勢的因素。
　　 本文從QPC應用于靈敏電荷探測器的原理和發(fā)展現(xiàn)狀出發(fā)，研究了QPC的基本結構和特性，分析了QPC用作靈敏電荷探測器的原理和影響因素，確定了QPC靜電勢的研究方向。在對QPC結構和QPC靜電勢影響因素研究的基礎上，建立了QPC器件的物理模型，并根據(jù)量子力

2、學方法，建立了QPC靜電勢計算的準3D數(shù)學模型。本文采用有限差分算法，對有效質量方程和泊松方程進行了準3D自洽求解，得到了QPC靜電勢和內部電子密度的分布。根據(jù)計算得到的結果，分析柵極結構，柵極電壓等對QPC靜電勢分布特性和大小的影響，討論了柵極形狀，柵極面積和柵極電壓影響下的QPC電勢的變化情況，并將求得電勢的數(shù)值結果，代入到QPC電導計算的程序中，實現(xiàn)了QPC靜電勢數(shù)值結果在QPC電導計算中的應用。
　　 本文對于QPC器件

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