4H-SiC SAM-APD結構紫外探測器的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、紫外探測技術主要應用于生化檢測、可燃性氣體尾焰探測及導彈羽煙的紫外輻射探測等領域。由于4H-SiC具有寬帶隙的特點，用其制備的紫外光電探測器具有日盲特性。本文討論了4H-SiC雪崩光電探測器的物理機理和性能參數(shù)，建立基于漂移．擴散理論的SAM-APD器件物理模型，模擬其反向I-V特性，并分析光響應靈敏度和量子效率與波長的關系。論文通過使用正交實驗方法來分析SAM-APD結構各外延層厚度對紫外探測器光譜響應的影響，得到如下結論：p+層變化

2、對探測器光電特性影響最顯著，n層次之，n-層變化對性能影響不明顯。在以上結論基礎上優(yōu)化SAM-APD的器件結構，設計了一種改進型4H-SiC SAM-APD紫外探測器，仿真結果表明這種新的結構提升了光譜響應。繪制器件版圖，討論了器件制造工藝，設計了具體的工藝步驟。分析了工藝制造中存在的問題，通過適當減小器件窗口面積的方法，來減少表面暗電流的迅速增大，達到紫外探測器的設計要求。 本文對SAM-APD結構紫外探測器提供了一定的設計指

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