CMOS集成電路抗輻射加固工藝技術研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著現(xiàn)代科學技術的發(fā)展，具有高速信號處理能力和強的抗輻射能力的計算機及控制部件已成為通信衛(wèi)星、氣象衛(wèi)星、航天飛行器、現(xiàn)代武器等系統(tǒng)的核心部分。因此，發(fā)展具有高速度、強抗輻照能力的集成電路技術是電子信息產業(yè)和國防裝備系統(tǒng)的關鍵。 當前，在集成電路芯片制造中，體硅CMOS半導體工藝技術仍占據主導地位，因此，對CMOS集成電路進行加固研究就顯得十分必要。由于抗輻照加固技術屬于軍用技術范疇，它具有高度的保密性，因此抗輻照加固工藝必須依靠

2、自己的力量，從基礎工藝出發(fā)進行研究。 用在空間中的電路會受到各種射線的影響，要產生電離輻照效應和單粒子效應等。本文第一部分主要講述了CMOS電路的電離輻射效應主要介紹了界面態(tài)的產生，并詳細分析了輻射感生陷阱電荷的產生過程。并根據上述原理指導下確定了工藝、設計兩方面的抗輻照加固方法，分別介紹了柵氧化層加固，源漏制備技術加固，鈍化層加固，場區(qū)加固，以及柵氧后高溫的影響。 第二部分主要講述了 CMOS 集成電路的單粒子效應。主

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