微電子概論結課論文____淺析微電子發(fā)展

1、微電子概論結課論文紡織學院專業(yè) ：紡織工程班級 ：紡織工程 133姓名 ：鄧杰學號：120901203的建立和材料物理的發(fā)展，都起到了理論推動作用。1946 年 1 月，Bell 實驗室正式成立了半導體研究小組，成員為肖克萊、理 論物理學家巴丁、實驗物理學家布拉頓。在系統(tǒng)的研究過程中，巴丁提出了表面 態(tài)理論，肖克萊給出了實現(xiàn)放大器的場效應基本設想，巴丁設計進行了無數(shù)次實 驗，于 1947 年 12 月觀察到了該晶體管晶體管結構的放大

2、特效，標志著世界上 第一個點接觸型晶體管的誕生。1952 年 5 月，英國科學家達默第一次提出了集成電路的構想。1958 年，以 德克薩斯儀器公司的科學家基爾比為首的研究小組研制出世界上第一塊集成電 路。 晶體管和集成電路的發(fā)明，拉開了人類進入電子時代的序幕，對人類社會的 所有領域產(chǎn)生了并且還正在產(chǎn)生著深遠影響。 隨著晶體管和集成電路的發(fā)明與應用， 微電子技術進入了一個飛速發(fā)展的時 期。1965 年，美國硅谷西安童半導體公司的

3、 Gordon Moore 博士通過研究了半導體工業(yè)的發(fā)展數(shù)據(jù)，1971 年提出了著名的“摩爾定 于 律”——集成電路芯片的集成度每三年提高 4 倍，而芯片加工特征尺寸每三年縮 小 倍。微電子技術是近五十年來發(fā)展最快的技術。 從最基本的機構單元 pn 結，到簡單的接觸雙極型晶體管和結型晶體管，再 到 MOS 場效應晶體管；從雙極集成電路，到數(shù)字集成電路，再到 MOS 集成電 路，每一次進步都是一次技術上的巨大飛躍。 作為微電

4、子技術的核心，集成電路（IC）經(jīng)歷了小規(guī)模、中規(guī)模、大規(guī)模、 超大規(guī)模階段，目前已進入甚大規(guī)模階段，其集成度不斷提高、功耗延遲積（優(yōu) 值）和特征尺寸不斷縮小、集成規(guī)模不斷增大。各方面的性能不斷優(yōu)化，價格卻在不斷降低——如此一來，產(chǎn)品的升級換代不僅導致性能品質的提升，價格也變 得越來越便宜，性價比不斷提高，在人類生活中也越來越受到歡迎，得到了廣泛 的應用。 集成電路的制造工藝主要包括以下內(nèi)容。 圖形裝換技術：主要是光刻和刻蝕技術； 薄

5、膜制備技術：主要是外延、氧化、化學氣相淀積、物理氣相淀積等； 摻雜工藝：主要是擴散與離子注入； 其他工藝：接觸與互連、隔離技術、封裝技術和輔助工藝等。 隨著集成電路規(guī)模的發(fā)展，工藝的不斷提高，其種類趨于繁多，應用環(huán)境的 變化，集成電路的設計也起著越來越大的作用。尤其是電子設計自動化 EDA 工 具的應用， 在保證實際準確性的同時， 大大縮短了設計周期， 降低了設計的成本。目前，我們已經(jīng)進入納米時代。0.25 微米的 CMOS 工藝技術已