鎵（Ga-,n-）、氮化鎵（Ga-,n-N）及銦（In-,n-）團簇的結構和電子性質研究.pdf

1、s2p1的電子構型使得IIIA主族元素的小團簇表現(xiàn)出一些奇特的性質，近年來一直是人們研究的熱點。本文利用廣義梯度近似的密度泛函理論(DFT－GGA)結合遺傳算法(GA)對鎵(Gan)、氮化鎵(GanN)及銦(Inn)團簇的結構和電子性質進行了系統(tǒng)的研究。 為了獲得最低能量結構，首先我們在一套基于分子動力學模擬退火遺傳算法的結構優(yōu)化程序基礎上，實現(xiàn)了在系統(tǒng)能量曲面上進行無人為預設(unbiased)的全局結構優(yōu)化（global s

2、tructural optimistic）。在從得到的眾多的初始構型出發(fā)，再利用第一原理——密度泛函理論優(yōu)化這些初始結構得到最穩(wěn)定結構以及一些次穩(wěn)定的異構體。找到基態(tài)能量結構以后，我們利用DMOL3軟件包計算討論了Gan、GanN、Inn(n≤13)團簇的平均結合能、總能二階差分、HUMO－LUMO能隙、電離能和電子親合能等物理特性。小尺寸的Gan團簇最低能量結構與Inn相似，然而隨著尺寸的增長，兩者出現(xiàn)差異，Inn團簇最低能量結表現(xiàn)出

3、更高的對稱性。在我們所研究的尺寸范圍內，鎵團簇與銦團簇的基態(tài)結構均偏向于密堆的籠形結構。鎵團簇與銦團簇的電離能和電子親合能與已有的實驗數(shù)據(jù)符合的非常好，證明了我們所用方法的合理性，特別是對銦(Inn)團簇的理論結果在團簇研究中是首次報道。 氮化鎵作為重要的半導體材料得到很多人的關注，然而氮化鎵團簇的研究依然不夠成熟。本文研究了鎵團簇摻雜一個氮原子后團簇的結構及電子特性。通過密立根電荷分析發(fā)現(xiàn)GanN團簇的成鍵類型隨著團簇尺寸的增